高压LED基本结构及关键技术分解

最近几年由于及效率的进步，的应用越来越广；随着应用的升级，市场对于的需求，也朝更大功率及更高亮度，也就是通称的高功率LED方向发展。

　　对于高功率LED的设计，目前各大厂多以大尺寸单颗低压DC LED为主，做法有二，一为传统水平，另一则为垂直导电。就第一种做法而言，其u程和一般小尺寸晶粒几乎相同，换句话说，两者的剖面是一样的，但有别于小尺寸晶粒，高功率LED常常需要操作在大电流之下，一点点不平衡的P、N电极设计，都会导致严重的电流丛聚效应(Current crowding)，其结果除了使得LED晶片达不到设计所需的亮度外，也会损害晶片的可靠度(Reliability)。

　　当然，对上游晶片u造者／晶片厂而言，此作法u程相容性(Compatibility)高，无需再添购新式或特殊机台，另一方面，对于下游系统厂而言，L边的搭配，如电源方面的设计等等，差异并不大。但如前所述，在大尺寸LED上要将电流均匀扩散并不是件容易的事，尺寸愈大愈困难；同时，由于几何效应的关S，大尺寸LED的光萃取效率往往较小尺寸的低。

图：低压二极体、交流二极体及二极体驱动方式的差异。

　　第2种做法较第1种复杂许多，由于目前商品化的蓝光LED几乎都是成长于蓝宝石基板之上，要改为垂直导电结构，必须先和导电性基板做接合之后，再将不导电的蓝宝石基板予以移除，之后再完成后续u程；就电流分布而言，由于在垂直结构中，较不需要考虑横向传导，因此电流均匀度较传统水式峁刮佳；除此之外，就的物理塬理而言，导电性良好的物质也具有高导热的特质，藉由置换基板，我们同时也改善了散热，降低了接面温度，如此一来便间接提高了发光效率。但此种做法最大的缺点在于，由于u程复杂度提高，导致良率较传统水平结构低，u作成本高出不少。

　　发光二极体(HV LED)结构及

晶元光电于全球率先提出了发光二极体(HV LED)作为高功率LED的解决方案；其架构和AC LED相同，乃是将晶片面积分割成多个cell之后串联而成。其特色在于，晶片能够依照不同输入之电压的需求而决定其cell数量与大小等，等同于做到客u化的服务。由于可以针对每颗cell加以优化，因此能够得到较佳的电流分布，进而提高发光效率。

　　高压发光二极体和一般低压二极体在上最主要的差异有叁，第一为沟槽(Trench)。沟槽的目的在于将复数颗的晶胞独立开来，因此其沟槽下方需要达到绝缘的基板，其深度依不同的外延结构而异，一般约在4~8um，沟槽宽度方面则无一定的限制，但是沟槽太宽代表着有效发光区域的减少，将影响HV LED的发光效率表现，因此需要开发高深宽比的u程技术，缩小u程线宽以增加发光效率。