高电源抑制的基准源的设计方案
时间:2023-09-25 22:57来源: 作者: 点击: 次
但是，由于本采用LDO供电，而LDO的参考电压是bg，存在死循环，即bg低，则LDO低，所以核心的VQC5无法给VQCS2提供电流，也就无法提高VQC2的电压即bg，因此需要外界提供大电流bias-start，使得当LDO无法启动核心时，此电流可以足够大，在RC4上产生的压降使bg达到足够大，继而LDO达到使核心启动所需的最低电压，从而使电路进入自动修正状态，最终使bg和ref达到指定电压。 这样虽然能启动，但是，正常工作时，此大启动电流bias-start将通过VQCS1和VQCS3流向地，增加了系统的负担。因此，在电流输出管MB3下加入控制管MBC，并使得在正常工作时，LDO的高电压足以使MBC关断，从而降低启动电路的损耗。 2 仿真与分析 本次的仿真基于ASMC的1 μm的高压BCD工艺。 2.1 启动仿真 图4是工艺角为tt，t=27℃时的启动仿真，此基准需要3 μs就可建立正常状态，这是由于基准核心中的Cc1选取为比较小的2 pF的结果，这样做的另一个结果就是中频PSR有所降低，实际电路可根据需要选取Cc1的大小，如果需要中频PSR较大，但对启动时间要求较低时，可以选取大Cc1（如Cc1选取10pF，则最高PSR将降为-28dB，但启动时间升至10μs）。LDO、ref、bg的启动过程比较平稳，没有过冲现象。 MBC控制作用的简述：在1μs时流过100μA的启动电流，当LDO、ref、bg建立最低工作电压后，启动电路开始关断过程，电流急剧减小，并最终在2μs时接近0A。整个电路正常运行时消耗的电流是266μA。
