Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题

　在讨论的侧的，在处理此类上此处用D会比用 效果更好，用RCD吸收，其管电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，而且吸收损耗也更小。

　　电压波形(RC吸收)

　　整流电压波形(RCD吸收)

　　从这两张仿真图看来，其吸收效果相当，如不考虑二极管开通时高压降，可以认为吸收已经完全。

　　试验过后，你应该会很惊喜，二极管可以采用贴片的(快速开关二极管，如果参数合适，1N4148不错)，电阻电容都可以用贴片的。

　　此处的RCD吸收设计，可以这样认为：为了吸收振荡尖峰，C应该有足够的容值，已便在吸收尖峰能量后，电容上的电压不会太高，为了平衡电容上的能量，电阻R需将存储在电容C中的漏感能量消耗掉，所以理想的参数搭配，是电阻消耗的能量刚好等于漏感尖峰中的能量(此时电容C端电压刚好等于Uin/N+Uo)，因为漏感尖峰能量有很多不确定因素，计算法很难凑效，所以下面介绍一种实验方法来设计

　　1.选一个大些的电容(如100nF)做电容C，D选取一个够耐压>1.5*(Uin/N+Uo)的超快恢复二极管(如1N4148);

　　2.可以选一个较小的电阻10K，1W电阻做吸收的R;

　　3.逐渐加大负载，并观察电容C端电压与整流管尖峰电压：

　　如C上电压纹波大于平均值的20%，需加大C值;

　　如满载时，C端电压高于Uin/N+Uo太多(20%以上，根据整流管耐压而定),说明吸收太弱，需减小电阻R;