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意法半导体电机驱动参考设计包含 STSPIN32 和生产

时间:2023-08-24 08:51来源: 作者: 点击:
>意法半导体电机驱动参考设计包含 STSPIN32 和生产

发布了两款采用 电机控制系统级封装 (SiP)的参考设计,可简化工业或家电压缩机器开发。每个参考设计都集成了电机控制器与为电机供电的三相逆变器,以及离线转换器和辅助电路,另外还包括生产级设计和电机控制固件。

的目标应用是最高达 250W 的通用工业压缩机,而 STEVAL-CTM012V1 符合严格的家电能效法规要求。这两款即插即用的参考设计很容易与主控系统整合,启动电机,并允许客户微调设置,获得最佳的性能。两个参考设计的平均能效都大于 96.5%。

这两款参考设计的核心组件都是的 F0601Q电机控制SiP。该系统级封装集成STM32F031 Arm® Cortex®-M0微控制器和鲁棒性非常高的 600V三相栅极驱动器。微控制器支持根据终端应用的具体需求定制电机控制算法,栅极驱动器用于控制逆变器开关管。配套固件包括高效无传感器矢量控制(FOC)算法。该SiP是一款尺寸紧凑、热效率高的方形扁平无引线 (QFN)封装,可满足安全性和可靠性对爬电距离的严格要求。

参考设计里的离线AC/DC 转换器是一个模拟转换器,集成了控制逻辑器件和 800V 耐雪崩功率电路。频率抖动技术可防止转换器干扰其他设备,固有的低功耗和轻负载突发模式操作有助于应用符合能效法规。

 

工业和通用250W STEVAL-CTM011V1参考设计的逆变级包括六个高鲁棒性的STGD5H60DF 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)。这些晶体管的设计旨在最大限度地提升高开关频率的能效,允许使用更小的电容和磁性元件。此外,封装的低热阻率还增强了晶体管的可靠性,并且紧密的参数分布有助于提高晶体管在大功率应用中并联安全性。

参考设计包含六个 STPOWER STD8N60DM2 600V N 通道 MDmesh™ DM2 功率 MOSFET。这些晶体管是包括零电压开关 (ZVS) 相移转换器在内的高能效转换器的理想选择,兼备高速、低损耗开关性能和低通态损耗。

生产级电路板设计可节省大量的开发时间,避免复杂的电路板布局和信号走线设计难题。11.2cm x 7.5cm的紧凑板尺寸有助于板子符合工业和消费设备的外形尺寸。

 

两款参考设计均在网上商城 eSTore有售。、VIPER122、IGBT 和 MOSFET 现已投产。询价和申购样片,请联系当地的意法半导体销售办事处。




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