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摘要：本文介绍采用直接 漏端来其过流的设计，给出了电路结构。通过电路分析，并利用BCD 高压工艺，在cadence 环境下进行电路仿真验证。结果证明：该方法能够快速、实时地实现过流保护功能，相比其它方法，在功耗、效率、工艺兼容性、成本等方面均有很大提高，可以直接应用于电源控制芯片中的安全保护设计。

　　1 引言

　　由于电源适配器芯片中内嵌集成或需要外部连接功率 管，应用中的 管又需要直接和高压相联接并通过大电流(目前的LDMOS 管已经能耐受数百乃至近千伏的高压)。因此，如何保障芯片和LDMOS 管的安全工作是芯片设计的重点之一。

　　利用片上二极管正向压降的负温度特性来监测芯片的热状态，进而控制功率LDMOS 管的开关是一种可行的安全设计方法。但是由于硅片存在热惰性，故不能做到即时控制。该方法更适宜作安全设计的第二道防线。

　　从芯片设计看，要确保适配器芯片使用的安全性，比较好的方法应该是直接监测流经LDMOS 管的大电流或LDMOS 管的漏极，以实时监控芯片的工作状态。一般采取两种：(一)在功率MOS 管源端对地串联一个小电阻用于源极电流，如图1(a)所示;(二)是通过电路监控LDMOS 的漏端，如图1(b)所示。前一种至少有以下缺点：(1)由于工艺存在离散性，电阻值很难做到精确(误差在20%左右);(2)源极串入电阻后，使原本导通电阻很大的LDMOS 管的管压降进一步增大，功率处理能力变弱;(3)电阻上流过大电流，消耗了不必要的能量，降低了开关电源的转换效率。

　　图1(a)串联电阻检测电流图1(b)直接检测漏端电压

　　而采用后一种方案，因为利用了集成电路的特点(电压采样电路的电阻比精度很容易做到1%)，电路处理并不太复杂。重要的是LDMOS 管没有源极串联电阻，可减少能量损耗，不影响LDMOS 管的功率处理能力，提高了电源转换效率。

　　直接检测漏端电压LDMOS 过流的设计思想是在LDMOS 管导通时，通过采样电路检测LDMOS 漏端电压，经比较，过流比较器输出一个低电平过流信号以关闭LDMOS 管;而在LDMOS 管截止期间，采样电路不工作，同时为了提高可靠性将比较器窗口电平适度拉高。

　　图2 是实现上述功能的电路框架图，由过流比较模块、控制逻辑等组成。

　　图2 过流保护电路框架

　　2 电路设计

　　2.1 过流比较模块

　　过流比较模块主要由前沿消隐Leadedge、采样电路Sample、比较电压产生器ToCompare 和过流比较器Comparator 等组成，如图3 所示。

　　前沿消隐电路由于存在片上寄生或外接电容和电感的影响，在LDMOS 管开启的瞬间，会在LDMOS 管漏极输出端出现尖峰电压，可能造成过流误判。必须增设前沿消隐电路，即对LDMOS 管栅控电压产生一个时间延迟，使在LDMOS 管开启的瞬间将过流比较器闭锁，等到尖峰通过后，再对LDMOS 管漏极信号进行采样测量和过流，从而消除漏电压尖峰的影响。如图3 所示，我们在其中加入一个偏置在固定电压V(BIASN)的NMOS 管，它相当于一个固定电流源，以限制电容放电的时间。

　　图3 过流比较模块电路图

　　合理设计相关的器件参数可以控制延迟时间的大小。

　　采样电路用开关控制电路实现对LDMOS 漏端的周期性电压采样，其中分压电路可采用大阻值有比电路结构。根据集成电路的特点，电阻比值的误差很容易被控制在1%范围之内。

　　当LDMOS 的栅电压V (GATE) 为高，即LDMOS 管导通时，使图3 中的采样开关管M10(具有较高耐压和较低导通电阻特性)也导通，同时开始采集LDMOS 管的饱和漏极电压;而当LDMOS 管的栅电压V(GATE)为低，即LDMOS 管关闭时(非过流现象)，采样电路则不工作。

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