摘要 了一款带隙源，基于0．18μm的CMOS工艺，在Hspice下，结果表明，温度在-25～80℃内变化时，温度系数为9．14×10-6℃；电源在3～5 V之间变化时，在1 250±43 mV内变化，满足要求。
关键词 带隙；温度系数；互补金属氧化物半导体(CMOS)
基准电源与电源本身及其工艺关系很小，而温度特性稳定，被广泛使用在模拟电路之中。基准电源的温度特性和噪声特性是决定电路精度和性能的重要因素。基准电源的输出电压和(或)电流几乎不受温度和电源电压的影响，是模拟集成电路中不可或缺的关键模块。基准电源根据输出的类型可分为基准电压源和基准电流源。基准电压源主要有齐纳二极管、隐埋齐纳二极管和带隙基准电压源3种，基准电流源主要是简单基准电流源、阀值电压相关电流源和带隙基准电流源。准电压源和基准电流源两者并不孤立，电压基准可以转换为电流基准，电流基准也可以转换为电压基准。
1 带隙基准电压源的基本原理
带隙基准电压源的基本原理是利用双极型晶体管基区一发射区电压VBE具有的负温度系数，而不同电流密度偏置下的两个基区一发射区的电压差△VBE具有正的温度系数的特性，将这两个电压线性叠加从而获得低温度系数的基准电压源。
利用VBE的负温度系数和△VBE的正温度系数，就可出零温度系数的基准电压源。即VBEF=α1VBE+α2(VTln n)。在温室下，，令α1=1，αln n≈17．2时，可得到零温度系数的基准为
根据上述理论分析可得到如图1所示的带隙基准电路架构图，其中在鸭管的漏极可得到与绝对温度成正比(PTAT Proportional to Abso-lute Temperature)的电流，先进行理论推导。首先输出基准电压为
M1、M2和M3采用相同的偏置电压，可得到相同的导通电流ID，放大器保证M1和M2的漏极电压相等，得
根据上述分析可知，适当调节晶体管的发射极面积和电阻大小，即可得到温度系数为零的输出基准电压。本文设计的带隙基准电压源正是基于此电路构架图而得到的。
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