摘要：文章基于 0．18μm工艺，在Hspice下，对四利PMOS管源进行了和，文中给出了每种电路时的电路参数和结果。
关键词：；集成电路；Hspice
0 引言
模拟电路广泛地包含源。这种基准源是一个直流量，它与电源和工艺参数的关系很小，但与温度的关系是确定的。本文对四种基本MOS管基准源进行和仿真。
1 MOS分压基准电路
一个最容易想到的基准电源就是在两个电源之间进行分压而得到。当然，用来分压的器件可以是无源器件也可以是有源器件。但是这样得到的基准电压与电源电压成正比。
电路如图1所示。图1(a)是由电阻和二极管联接的MOS管构成的分压器。Hspice下取电源电压VDD=3．3V，W／L=1．8／0．18μm，取电阻为4kΩ时，其温度特性如图2(a)所示。温度在0～80℃变化时输出Vref在1．195～1．245V之间变化。如图2(b)所示，电源电压在0～3．3V变化时，输出电压Vref在0～1．245V之间变化。
图1(b)是由两个MOS管串联构成的分压电路。其温度特性如图3(a)所示。温度在0～80℃变化时输出Vref在1．236～1．26V之间变化。在图3(b)中，电源电压在0～3．3V变化时，输出电压Vref在0～1．26V之间变化。可见，输出电压依赖于电源电压的变化而变化非常明显。 (责任编辑：admin)
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