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聚辰半导体有限公司近日对外宣布其为-(AC-DC)，充电器，适配器，家电电源，辅助电源应用而设计的控制器，GT5010正式大规模量产。聚辰半导体的GT5010是继EERPOM存储器系列和智能卡系列两大产品线之后的电源产品线的又一主力产品。

　　GT5010采用最新的变压器原边(PSR)控制方式和具有自主专利的全电流反馈控制技术;外部高的MOSFET功率器件;其恒流和恒压特性满足小于±5%范围;用于手机充电器待机功耗小于30mW;转换效率全面满足最新“EPS2.0”;GT5010采用SOT23-6封装;可工作在-40到+85度的温度范围，同时具有过温保护特性等完善的保护特性。这些特性都让GT5010成为最佳的隔离和非隔离的3W，5W和7W高性能，低成本MR16，E14，E27和GU10等中最具性价比的控制芯片之一。

　　变压器原边控制

　　原边反馈方式的AC/DC控制技术是最近10年间发展起来的新型AC/DC控制技术，与传统的副边反馈的光耦加431的结构相比，其最大的优势在于省去了这两个芯片以及与之配合工作的一组元器件，这样就节省了系统板上的空间，降低了成本并且提高了系统的性。在等成本压力较大，对体积要求很高的市场具有广阔的应用前景。

　　GT5010 LED正是基于这种原边反馈方式。如图一所示，该省去了原先副边反馈的光耦和稳压管431等外围器件，其线路体积将更小，生产成本将更具有竞争力。

　　图一、聚辰GT5010 LED线路示意图。

　　外部高MOSFET功率器件

　　在MOSFET的数据表中，通常可以找到它的典型的传输特性。注意到25℃和175℃两条曲线有一个交点，此交点对应着相应的VGS电压和ID电流值。若称这个交点的VGS为转折电压，可以看到：在VGS转折电压的左下部分曲线，VGS电压一定时，温度越高，所流过的电流越大，温度和电流形成正反馈，即MOSFET的RDS(ON)为负温度系数，可以将这个区域称为RDS(ON)的负温度系数区域。

　　图二、 MOSFET转移特性。

　　而在VGS转折电压的右上部分曲线，VGS电压一定时，温度越高，所流过的电流越小，温度和电流形成负反馈，即MOSFET的RDS(ON)为正温度系数，可以将这个区域称为RDS(ON)正温度系数区域。当MOSFET用作功率开关时，其导通时VGS较大，因此工作在RDS(ON)负温度系数区域。从而随着温度升高，电流会减少。具有自限制特性。因此在高温环境下具有比BJT(RDS(ON)正温度系数更高的可靠性。

　　依据需要驱动LED的功率不同，该方案可以选择搭配聚辰品牌的1A和2A MOSFET。该方案极好的保证了在LED灯体内部高温环境下稳定工作。

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