一款用于通用照明的非隔离降压式LED驱动器
时间:2023-09-25 22:56 来源: 作者: 点击:次
| 随着人们生活水平进步，能源消耗越来越大，节能环保已成为全球可持续发展的重要话题。据世界能源组织统计，用电占全球用电总量的19%，而且比率还在增加。解决这种电能需求而又保证节能环保的最好办法就是进步能效。LED具有高能效（>120流明/瓦特），长寿命（超过50,000小时的工作寿命），利环保（无辐射，不含汞）等特点，伴随着LED生产本钱的下降，LED进进的日子越来越近。 LED的驱动方式和传统的卤素灯，荧光灯不同，需要保持恒定电流驱动，所以需要专门的驱动电路。作为，由于多数为高压市电输进，输出有SELV（安全特低电压）限制，所以多采用降压结构，Buck拓扑结构具有结构简单，效率高，电流纹波小等特点，常被采用。PT4207正是基于Buck拓扑结构设计的一款LED驱动芯片。 PT4207芯片结构特点 PT4207采用革新的架构，可保证系统在交流输进整流后，8V到450V的直流电压下可靠工作，内置350mA/20V的MOSFET，可提供350mA的LED输出电流，另外配备外部MOSFET开关驱动端口，可实现高达1A的LED输出电流并稳定工作。系统效率可达96%，电流精度可达±5%（包含输进电压调整率和元器件差异）。通过多功能调光DIM管脚，可使用电阻或直流电压进行线性调节LED电流，也可以采用数字脉冲信号就选PWM调光。此外，该芯片还具有软启动功能，负载短路保护和过温保护功能。PT4207的内部结构框图如图1所示。
短路保护原理：芯片对CS管脚电压在每个开通周期进行检测，一旦检测到CS电压上升过快芯片会关断MOSFET，过一段时间再打开，从而实现短路保护。 过温保护原理：芯片内置过热保护功能，当芯片结温超过135℃时将自动降低输出电流以阻止温度进一步上升，假如温度超过150℃，输出电流降为0，在有效保护芯片的同时避免闪烁题目。如需对LED进行过温保护，可在DIM管脚和GND管脚间接负温度系数热敏电阻，当环境温度升高时，DIM电压会下降，同时降低内部CS管脚基准电压甚至关断，从而实现过温保护功能。 软启动功能：芯片内置4ms的软启动时间，启动时逐步增加电流，使负载电流逐渐达到设定值，有效减小启动浪涌电流。
参考图5典型应用电路。输出电流的确定：可依据公式 选取合适的R4，R5，R6和L，具体计算步骤可参考PT4207数据表。 输进电容选择：输进电容为系统提供稳定的供电电压，可根据输出功率，电容量按1-2uF/W选择。照明应用都是在高温环境中，所以电容耐温建议在105℃以上。 MOSFET选择：漏-源极耐压Vds根据实际输进情况选择，漏极电流Id选择4倍以上的ILED。 输出电容选择：与LED并联的电容可以吸收LED纹波电流。理想情况下，电感纹波电流完全被输出电容吸收，一定程度上延长LED寿命。通常选择1-10uF。 续流二极管选择：建议选择肖特基二极管或超快速恢复二极管，反向恢复时间Trr建议小于100ns，电流能力应大于IPEAK。 电感选择：可选择工字电感或闭合磁路的变压器电感。工字电感一般价格低廉，工艺简单，但磁路开放，在金属密闭空间内轻易造成磁力线缺失而使系统工作异常，所以一般用于非金属外壳的灯具中。无论采用哪种电感，电感的饱和电流要求大于1.2倍的ILED，磁芯材料的居里温度建议大于150℃。 Layout设计要点 参考图5典型应用电路。其中，滤波电容C3，C4，C5，以及电阻R4应尽量靠近芯片管脚。输进电容C1，负载，电感L4，MOSFET，芯片S管脚，采样电阻R5，R6是大电流路径，走线尽量粗短，所包围的面积尽量小。采样电阻R5，R6所连接的是高频大电流地，属于干扰源，应通过最短的路径连接到输进滤波电容C1负极。芯片第3脚，以及C3，C4，C5，R4的地需要稳定的基准地，可以从C1单独引出。 本文小结 以上先容了PT4207芯片基本结构，工作原理，典型应用方案，以及设计留意事项。该芯片以其宽电压输进范围，较高的恒流精度和可靠性，在日光灯，射灯，筒灯等通用照明，以及路灯，汽车设备等领域均有广泛应用远景。 (责任编辑：admin) |